名词解释
a)探测效率
雪崩光电二极管APD在单光子探测模式下的性能主要以其探测效率为特征。该量对应于光子撞击到光电二极管上被探测到的概率。InGaAs SPAD的探测效率来自两个不同的因素：
1.光子被InGaAs层吸收的概率；
2.光生载流子在穿过倍增区时触发雪崩并在输出端产生电流的概率。
在基于光纤的光子计数器中，光纤与光电二极管的有效区域之间可能存在一些耦合损耗。为了对此进行补偿，sCMOS相机，可以通过稍增偏置电压以获得相同的探测效率。 但是这会稍微增加暗计数率。
当过偏置电压升高时，量0子探测效率也会相应提高。在1550 nm处，InGaAs / InP光电二极管的探测效率值通常高达25％。一般对于InGaAs / InP光子计数模块的探测效率是可调的。
光子计数器的主要部件是雪崩光电二极管。
在电子学中，二极管是一种具有不对称传输特性的双端电子元件，在一个方向上对电流具有低（理想为零）电阻，在另一个方向上具有高（理想为无限）电阻。（zui）常见的类型如半导体二极管，是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。
EMCCD也可采用背照式结构，把高达90%的量0子效率与电荷倍增向结合，提高灵敏度，从而提供高帧速率情况下zui好的低照度响应。温度对片上倍增增益的影响明显。温度越低，由依次电子产生的二次电子越多，则片上倍增增益越高。研究表明把探测器制冷到-30摄氏度或更低时，片上增益可以超过1000倍。EMCCD良好的性能取决于CCD温度的zui佳选择以及温度随环境波动的控制。
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